HiPerFREDTM
Epitaxial Diode
Features
●Planar passivated chips
●Very short recovery time
●Extremely low switching losses
●Low I
RM-values
Soft recovery behaviour
●
●Epoxy meets UL 94V-0
Applications
●Antiparallel diode for high frequency
switching devices
●Antisaturation diode
●Snubber diode
●Free wheeling diode in converters
and motor control circuits
●Rectifiers in switch mode power
supplies (SMPS)
●Inductive heating
2mA
●Uninterruptible power supplies (UPS)
●Ultrasonic cleaners and welders
Advantages
●Avalanche voltage rated for reliable
operation
●Soft reverse recovery for low EMI/RFI
●Low I
RM
reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating
switch
IFAV
VRRM
= 1200 V·
trr
= 30 ns
= 30 A
VRRM·
VRRM
Type
V V
1200 600
DSEE30-12A
Symbol Conditions Maximum Ratings
IFRMS
IFAVM ·
60 A
TC
= 90°C; rectangular, d = 0.5 30 A
IFSM
TVJ
= 45°C; t
p
= 10 ms (50 Hz), sine 200 A
EAS
TVJ
= 25°C; non-repetitive 0.2 mJ
IAS
= 1.3 A; L = 180 μH
IAR
VA
= 1.5
·
VR typ.; f = 10 kHz; repetitive 0.1 A
TVJ
TVJM
Tstg
-55...+175 °C
175 °C
-55...+150 °C
TL
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s 260
°C
Ptot
TC
= 25°C 165 W
Md
Mounting Torque 0.9/6 Nm/ lb.in.
Weight
typical 2 g
Symbol
Conditions
Characteristic Values
typ.
max.
I
·ˉR
TVJ
= 25°C V
R
= VRRM
200 μA
TVJ
= 150°C V
R
= VRRM
V
ˇF
IF
= 30 A; T
VJ
= 125°C 1.75 V
TVJ
= 25°C 2.5 V
RthJC
RthCH
0.9 K/W
0.25 K/W
trr
IF
= 1 A; -di/dt = 200 A/μs; 30 ns
VR
= 30 V
IRM
VR
= 100 V; I
F
= 50 A; -di
F/dt = 100 A/μs 4 A
TVJ
= 100°C
DS98962 (10/02)
? 2002 IXYS All rights reserved
DSEE30-12A
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
1 2 3
Notes: Data given for TVJ
= 25
OC and per diode unless otherwise specified
·
Diodes connected in series
ˉ
Pulse test: pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %
ˇ
Pulse test: pulse Width = 300
μs, Duty Cycle < 2.0 %
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
1
2
3
Notes
●Please see DSEP 30-06A Data Sheet
for characteristic curves.
TO-247 AD
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
DSEE55-24N1F
DIODE HFRED 2400V 55A I4-PAC
DSEE8-06CC
DIODE HFRED 600V 10A ISOPLUS220
DSEK60-02A
DIODE FRED 200V 34A TO-247AD
DSEK60-06A
DIODE FRED 600V 2X30A TO-247AD
DSEK60-12A
DIODE FRED 1200V 2X26A TO-247
DSP25-16A
DIODE ARRAY 1600V 28A TO247AD
DSP45-12A
DIODE PHASE 1200V 45A TO-247AD
DSP45-16AR
DIODE PHASE 1600V 43A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
DSEE55-24N1F
功能描述:整流器 55 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
DSEE6-06CC
功能描述:整流器 6 Amps 600V 2.7 Rds RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
DSEE8-06CC
功能描述:整流器 10 Amps 600V 1.75 Rds RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
DSEE8-08CC
功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 8 Amps 400V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube
DSEI 120-06A
制造商:IXYS 功能描述:Bulk
DSEI 120-12A
制造商:IXYS 功能描述:Bulk
DSEI 12-06A
制造商:IXYS 功能描述:Bulk
DSEI 2X61-02A
功能描述:DIODE FRED 200V 71A SOT-227 RoHS:是 类别:半导体模块 >> 二极管，整流器 系列:- 标准包装:10 系列:- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.45V @ 30A 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 400V 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）:30A 电压 - (Vr)（最大）:400V 反向恢复时间(trr):65ns 二极管类型:标准 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 二极管配置:2 个独立式 安装类型:底座安装 封装/外壳:ISOTOP 供应商设备封装:ISOTOP? 包装:管件